日 라피더스, 2㎚ 공정 웨이퍼 시제품 개발...EUV 노광장비 가동 3개월 만에

라피더스 2nm GAA 구조 반도체 웨이퍼 시제품

일본 반도체 위탁생산 기업 라피더스가 2나노미터(㎚) 공정으로 웨이퍼 개발에 성공했다.

라피더스는 최근 일본 후카이도 치토세 공장에서 이같이 밝히고 관련 시제품을 공개했다. 지난 4월 첨단 회로를 새길 수 있는 극자외선(EUV) 노광장비를 가동한지 3개월 만이다.

라피더스는 2022년 일본 반도체 산업 부흥을 위해 토요타·키옥시아·소니·NTT·소프트뱅크·NEC·덴소·미쓰비시UFJ은행 등 대기업이 공동으로 설립한 회사로, 2027년 2㎚ 양산을 목표로 세웠다.

라피더스는 이번 시제품 개발이 차세대 트랜지스터 구조인 '게이트올어라운드(GAA)'로 전기적 특성을 확보했다고 부연했다. 향후 웨이퍼 공정 조정과 검사 작업으로 수율을 높일 것으로 기대했다.

고이케 아쓰요시 라피더스 사장은 “생각할 수 없는 속도로 (빨리) 만들었다”며 “획기적 사건”이라고 이번 시제품 개발의 의미를 부여했다.

현지 언론은 라피더스가 향후 2㎚ 반도체를 양산하려면 품질을 안정화하는 것이 관건이라고 분석했다. 아사히신문은 “최첨단 반도체 생산 1위인 TSMC는 올해 하반기 2㎚ 제품을 양산할 예정”이라며 “라피더스는 지금까지 기술을 축적하지 않은 채 공장을 지어 첨단 반도체 제조에 도전하고 있다”고 부연했다.

추가 자금 확보도 과제다. 라피더스는 반도체 양산에 약 5조엔(약 46조8000억원)이 필요할 것으로 예상하지만, 확보한 금액은 1조7225억엔(약 16조1천억원)에 그친 것으로 알려졌다.

라피더스는 2㎚ 공정에 필요한 설계 키트(PDK)를 내년 1분기 출시, 고객사가 자체 시제품을 개발할 수 있는 환경을 제공할 것이라고 밝혔다.

권동준 기자 djkwon@etnews.com

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