올해 최고과학기술인상에 황철성 교수…신개념 반도체 개발

서울대 황철성 석좌교수. 과학기술정보통신부 제공

황철성 서울대 석좌교수(61·사진)가 국내 과학기술 분야에서 권위가 가장 높은 ‘대한민국 최고과학기술인상’ 올해 수상자로 선정됐다.

과학기술정보통신부와 한국과학기술단체총연합회는 3일 이 같은 내용을 발표하면서 황 교수가 D램과 낸드플래시 등 기존 메모리 반도체를 뛰어넘는 새로운 소자인 ‘저항 스위칭 메모리’의 작동 원리를 발견한 공로를 인정받았다고 밝혔다.

현재 D램은 한정된 부피에 전자를 저장해 정보를 처리한다. 하지만 소자 크기가 계속 줄어들면서 전자를 저장할 부피도 축소됐고, 이에 따라 성능 향상에도 한계가 다가오고 있다. 저항 스위칭 메모리는 전자의 양이 아닌 산화 물질 등을 사용해 정보를 처리하는 신개념 기술이다.

해당 연구는 2010년 국제학술지 ‘네이처 나노테크놀로지’에 발표된 뒤 현재까지 학계에서 2450회 이상 인용됐으며, 저항 변화 메모리 반도체 분야에서 인용 빈도 수 상위 5번째 논문 자리에 올랐다. 황 교수는 또 세계적인 공신력을 갖춘 과학기술인용색인(SCI) 논문 750편을 발표했으며, 특허 출원·등록 227건, 기술 이전 16건도 기록했다고 과기정통부는 전했다.

황 교수는 최근에는 인간의 뇌처럼 작동하는 ‘뉴로모픽 반도체’ 연구에 주력하고 있다. 뉴로모픽은 인공지능(AI) 기술과 맞닿아 있다. 지금의 AI는 질문에 대한 답을 찾기 위해 최대한 많은 데이터를 모으는 방식을 쓴다. 하지만 뇌는 추상적 사고를 통해 답을 낼 수 있다. 무조건 많은 데이터를 모으지 않아도 효율 높게 작동할 수 있다는 뜻이다.

이날 정부서울청사에서 열린 브리핑에서 황 교수는 “뇌를 닮은 기술을 만드는 핵심은 뉴로모픽 반도체”라며 “(데이터를 다량으로 모으지 않는 만큼) 현재보다 전력 소모량도 크게 줄어들 것”이라고 설명했다. AI 발전에서 큰 걸림돌로 인식되는 전력 문제의 돌파구를 뉴로모픽 반도체로 마련할 수 있다는 뜻이다.

대한민국 최고과학기술인상은 2003년부터 시상된 국내 최고 권위의 과학기술인상이다. 과기정통부는 오는 9일 서울 강남구 한국과학기술회관에서 개최되는 ‘세계 한인 과학기술인대회’에서 황 교수에게 대통령 상장과 상금 3억원을 수여한다.

이정호 기자 run@kyunghyang.com

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