삼성전자, 10나노급 6세대 D램 양산 임박…내부 승인 완료

[아이뉴스24 설재윤 기자] 삼성전자가 10나노(1㎚=10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정을 적용한 D램 양산을 앞두고 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자 서초사옥 전경. [사진=연합뉴스]

1일 업계에 따르면 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 사업부는 전날 이 공정에 대해 내부 승인 절차인 PRA(Production Readiness Approval)를 마쳤다.

PRA는 반도체 제품 양산에 들어가기 전에 품질, 공정, 설비, 자재, 인력, 시스템 등이 최적화돼 있는지를 최종적으로 검토하는 단계다.

10나노급 D램 공정은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대) 순으로 개발되고 있다. 세대가 높아질수록 고성능이다.

6세대는 미세화·수율 면에서 큰 전환점이 되는 기술로 평가받는다. 이 공정을 이용한 D램을 보통 1c D램이라고 부른다.

고대역폭메모리(HBM) 분야에서 경쟁사에 밀리고 있는 삼성은 특히 하반기 양산을 목표로 개발 중인 차세대 HBM4에 1c D램을 사용할 계획이다.

SK하이닉스, 마이크론은 삼성전자보다 먼저 HBM4 샘플을 주요 고객사에 보내 퀄 테스트(품질 검증)을 진행 중이지만, 모두 1b D램 공정이 적용된 칩을 사용했다.

/설재윤 기자(jyseol@inews24.com)

[ⓒ 아이뉴스24 무단전재 및 재배포 금지]