칩스케이, GaN 전력반도체 'HighGaN' 국제상표 등록

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 기업 칩스케이가 세계지식재산기구(WIPO)에 GaN 전력반도체 기술에 대한 국제상표를 등록했다고 1일 밝혔다. 등록 명칭은 'HighGaN'이며, 전력반도체, 전력변환 장치 등(제09류)으로 분류된다.

'HighGaN'은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미를 담았다. 회사는 상표 등록으로 기술의 브랜드화 및 글로벌 지식재산권(IP) 포트폴리오 강화에 나설 계획이다.

또 글로벌 고객 및 파트너사에 'HighGaN' 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 신규 객사 마케팅에 집중할 계획이다.

칩스케이는 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 고속 충전기·AI 데이터센터·산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다.

곽철호 칩스케이 대표는 “'HighGaN' 브랜드 확보는 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치”라며 “양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화하겠다”고 밝혔다.

권동준 기자 djkwon@etnews.com

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