삼성전자, 美 텍사스 공장서 2나노 칩 생산 가속…TSMC보다 2년 앞선다

[AI리포터]

[디지털투데이 AI리포터] 삼성전자 파운드리 사업부가 미국 텍사스 테일러 공장에서 2나노미터(nm) 칩 생산을 준비하며, TSMC보다 2년 앞서 미국에서 첨단 반도체를 제조할 가능성이 커졌다고 23일(현지시간) IT전문매체 폰아레나가 전했다.

삼성전자는 텍사스 테일러에 첨단 칩 생산을 위한 공장을 건설 중이며, 내년 1월 또는 2월부터 2나노 칩 생산을 시작할 예정이다. 이는 TSMC의 2028년 미국 내 2나노 칩 생산 목표보다 앞선 일정이다.

미국 내 첨단 반도체 수요는 도널드 트럼프 미국 대통령의 관세 정책으로 더욱 증가하고 있다. 미국에서 생산된 반도체는 수입 관세를 피할 수 있어 애플과 같은 글로벌 기업들도 미국산 칩 구매를 검토 중이다.

하지만 삼성은 TSMC에 비해 글로벌 시장 점유율이 낮으며, 첨단 공정에서의 낮은 수율 역시 개선해야 한다. 현재 삼성 파운드리의 SF2(2㎚) 공정 수율은 40%에 불과하며, TSMC의 60%보다 낮다. 일반적으로 70% 이상의 수율을 확보해야 본격적인 대량 양산이 가능하다.

한편 삼성전자는 올해 2분기부터 평택 2공장 일부에 1.4나노 파운드리 시험 라인을 구축하려던 계획을 잠정 연기했다. 이는 당장 올해 말 양산을 앞둔 2나노 공정에 인력과 투자를 집중하면서 내실 강화에 주력하기 위함이다.

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