마이크론, 美 41조 추가 투자…“자국 내 D램 40%·HBM 생산”

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마이크론이 미국 투자 규모를 확대했다. 자국 내 D램 생산 비중을 최대 40%까지 끌어올리고 고대역폭메모리(HBM) 생산거점도 만들겠다고 밝혔다.

마이크론은 12일(현지시간) 미국 내 반도체 제조와 연구개발(R&D)에 총 2000억 달러(약 274조원)를 투자한다고 발표했다. 이는 기존 투자 계획 대비 300억 달러(약 41조원)를 증액한 것이다. 구체적으로 1500억 달러를 미국 내 메모리 제조에 투자하고 500억 달러는 R&D에 투입한다.

마이크론은 증액된 300억 달러로 아이오와 보이스에 두 번째 첨단 메모리 공장을 건설하고, 버지니아주 마나사스에 기존 제조시설을 확장·현대화할 예정이라고 설명했다. 또 HBM 제조를 위한 패키징 시설을 미국에 처음 도입한다. 이를 통해 미국 D램 생산 비중을 40%까지 확대하고, HBM까지 만든다는 계획이다.

산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO) “이번 투자는 미국의 기술 리더십을 더욱 강화하고, 반도체 생태계 전반에 걸쳐 수만 개의 일자리를 창출하며, 경제적 및 국가적 안보를 위한 중요한 국내 반도체 공급망을 확보할 것”이라고 말했다.

박진형 기자 jin@etnews.com

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