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中 화웨이 CEO "반도체 기술, 미국에 뒤처졌어도 극복 가능"

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[AI리포터]
SMIC가 5nm N+2 노드를 사용하여 만든 Kirin X90 프로세서 [사진: Alibaba]

SMIC가 5nm N+2 노드를 사용하여 만든 Kirin X90 프로세서 [사진: Alibaba]


[디지털투데이 AI리포터] 미국의 압박 속에서도 화웨이와 중국 최대 파운드리 업체 SMIC는 5nm 반도체를 개발하며 기술 격차를 좁히고 있다고 10일(현지시간) IT전문매체 폰아레나가 알렸다.

극자외선(EUV) 장비는 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 인쇄해 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있도록 한다. 하지만 미국의 제재로 화웨이와 SMIC는 네덜란드 ASML의 EUV 장비를 확보하지 못했다. 대신 SMIC는 '셀프 얼라인드 쿼드러플 패터닝(SAQP)'이라는 기법을 활용해 심자외선(DUV)으로도 5nm 수준의 칩을 생산했다. 단, 해당 기술은 수율 저하와 비용 증가를 초래해 생산된 칩의 가격 상승으로 이어질 수 있다.

런정페이 CEO는 중국 관영 인민일보와의 인터뷰에서 "미국과의 기술 격차는 한 세대 차이지만, 수학과 비(非)무어의 법칙을 활용해 극복할 수 있다"고 강조했다.

화웨이는 매년 1800억위안을 연구개발에 투자하며, 단일 칩 성능을 클러스터 컴퓨팅으로 보완하는 전략을 채택하고 있다. 런정페이 CEO는 "소프트웨어는 더 이상 병목 현상이 아니다"라며, 미국의 제재에도 기술 혁신을 지속할 것임을 시사했다.

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