검찰, 중국에 반도체 기술 유출한 삼성전자 전 직원 구속기소

검찰

반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 삼성전자 전 임원이 징역 7년을 선고받은 사건과 관련해 검찰이 공범 1명을 추가로 재판에 넘겼다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 2일 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 삼성전자 엔지니어 출신 전모씨(55)를 구속기소했다고 밝혔다. 앞서 검찰은 지난달 14일 법원에서 전씨에 대한 구속영장을 발부받았다.

전씨는 중국 반도체 제조업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직해 삼성전자가 1조6000억원을 들여 개발한 18나노 D램 공정 정보를 무단 유출해 사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사다.

검찰은 지난해 1월 같은 혐의로 구속기소돼 1심에서 징역 7년, 벌금 2억원을 선고받은 삼성전자 부장 출신 김모씨를 수사하다 전씨의 범죄혐의를 포착했다.

전씨는 CXMT로부터 사인온 보너스(sign-on bonus) 3억원, 스톡옵션 3억원 등 약 6년간 29억원 상당을 받은 것으로 조사됐다.

이들은 위장회사를 통해 입사하고 체포될 시 암호를 전파하는 등 수사에 대비해온 것으로 파악됐다.

검찰은 “삼성전자 자료를 유출한 또 다른 공범도 인터폴을 통해 추적 중”이라며 “피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하겠다”고 밝혔다.

이홍근 기자 redroot@kyunghyang.com

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