검찰, 삼성전자 기술 유출 공범 1명 추가로 잡았다

‘7년형’ 전직 부장 이어 공범 구속

삼성전자 반도체 공장

삼성전자의 반도체 핵심 기술인 18나노 D램 공정 정보를 중국으로 유출한 혐의로 징역 7년의 중형을 선고받은 삼성전자 전직 부장의 사건과 관련해 검찰이 공범 1명의 신원을 새로 확보하고 추가 수사에 나섰다.

16일 법조계에 따르면 서울중앙지법은 지난 14일 산업기술유출방지법 위반 등의 혐의를 받는 삼성전자 전직 연구원 A씨에 대해 구속영장을 발부했다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 지난 9일 A씨와 또 다른 공범인 B씨에 대한 구속영장을 함께 청구했다. 법원은 B씨에 대해서는 절차상 문제를 이유로 기각한 것으로 알려졌다. 검찰은 기각 사유를 검토한 뒤 지난 15일 영장을 재청구했다.

두 사람은 2016년 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다. CXMT는 안후이성 허페이시의 지원을 받아 설립된 회사로 2018년 중국 최초로 D램 양산에 성공했으며 현재 세계 D램 시장 점유율 4위를 기록 중이다.

앞서 동일한 혐의로 기소된 삼성전자 전직 부장인 김 모씨는 기술유출 사건 1심 최고 형량인 징역 7년을 선고받고 법정구속됐다. 검찰은 A씨와 B씨가 김씨와 공모해 기술유출 작업에 가담한 혐의를 추가로 파악해 구속영장을 청구한 것으로 전해졌다.

법원은 김씨의 행위에 대해 “국가 핵심기술을 유출해 대한민국 산업 경쟁력에 심각한 악영향을 초래한 중대한 범죄”라고 판단했다.

검찰은 이 사건과 관련해 연루자 등 공범이 추가로 있을 것으로 보고 수사를 이어갈 방침이다.

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