中国长鑫存储冲击HBM市场三星与SK海力士进入关键时刻 : zum 뉴스

继DRAM之后，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）有望进军技术门槛更高的高带宽存储器（HBM）市场，这一动向让韩国存储芯片双雄三星电子与 SK海力士倍感压力。

尽管美国对华制裁仍在持续，但长鑫存储仍在快速提升技术实力。业内担忧，如果长鑫存储不仅继续扩大传统DRAM生产，还加速量产先进HBM产品，未来数年内，韩国存储半导体产业或将受到严重冲击。

据相关业界12日消息，长鑫存储正在为第二代HBM产品——HBM2进行设备投资。早在2016年，三星电子和SK海力士就已开始量产HBM2，尽管长鑫存储在时间上落后近10年，但由于HBM2规格已趋于标准化，业内专家认为中国厂商在该领域的研发进程可能会大幅加快。

半导体行业相关人士表示：“从技术研发速度来看，中国企业正迅速追赶韩国企业，这已经是不争的事实。与DRAM和NAND闪存相似，较旧的HBM由于设计已标准化，开发周期大幅缩短。但关键仍在于能否在1至2年内掌握稳定的量产技术。”

值得关注的是，长鑫存储在2020年后技术进步明显加快。根据中国市场研究机构前瞻产业研究院的数据，2020年中国国产DRAM在全球市场的占有率仍为0%，但截至2024年已上升至 5%。过去，韩国半导体业内普遍认为中国企业要实现DRAM量产至少需要10年以上，但现实发展速度已远超预期。

长鑫存储近期不仅在DDR4 DRAM领域站稳脚跟，还在DDR5研发上取得突破，引发市场对其未来大规模量产的担忧。市场调查机构TechInsights指出，长鑫存储生产的DDR5 DRAM关键制程线宽已接近三星电子和SK海力士，表明中韩两国企业在技术层面的差距正迅速缩小。

面对中国企业的快速崛起，三星电子和SK海力士正处于重要的战略决策节点。两家公司在DDR4 DRAM市场已受到中国企业低价竞争的冲击，而对未来 5 年的市场走势同样感到不安。

韩国KAIST（韩国科学技术院）电气电子工程系特聘教授柳会峻表示：“中国企业已经具备在三星、SK海力士推出新产品1年左右就能开发出样品的能力，但在大规模量产方面仍可能面临技术障碍。”

柳会峻指出，在标准化存储芯片市场，中国企业凭借成本和产能优势，韩国企业很难与之展开价格战，因此必须转变业务模式，拓展产品组合，以保持竞争力。他建议三星和SK海力士应聚焦于内存内处理（PIM）、计算快速链接（CXL）等定制化存储技术，以此寻找突破口。

他进一步解释道：“PIM本质上是‘定制化DRAM’，需要与客户建立紧密的合作伙伴关系，同时与工艺技术深度结合，而这正是韩国企业的优势所在。目前全球半导体市场正掀起人工智能（AI）热潮，韩国存储厂商可以通过PIM等定制化存储产品，在AI终端设备市场开拓新的增长机会。”