“中 화웨이, 美 제재에도 우한신신과 HBM 개발 추진”

중국 광둥성에 있는 화웨이 매장./연합뉴스

화웨이가 고대역폭메모리(HBM) 반도체 제조를 위해 중국 국영 반도체 기업 우한신신과 협력할 계획이라고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 소식통을 인용해 1일 보도했다.

SCMP에 따르면 소식통은 화웨이-우한신신 협업 프로젝트에 CoWos 제공 임무를 맡은 패키징 회사 장쑤창장일렉트로닉스테크와 퉁푸마이크로일렉트로닉스도 참여한다. SCMP는 “미국 블랙리스트에 오른 화웨이가 HBM 칩에 진출하는 것은 미국의 기술 제재를 무시하려는 화웨이의 가장 최신 노력을 보여주는 것”이라고 설명했다.

CoWos는 첨단 패키징 공정 ‘칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트’(CoWos) 기술이다. 그래픽처리장치(GPU)와 HBM 칩을 하나의 기판 위에 쌓아 처리 능력을 높이는 동시에 공간을 절약하고 전력 소비를 줄이는 고정밀 기술이다. 현재 엔비디아의 AI 반도체를 생산에 CoWos가 적용된다.

지난 5월 로이터 통신은 중국 주요 D램 반도체 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 퉁푸마이크로일렉트로닉스와 파트너십을 맺고 HBM 칩 샘플을 개발했다고 보도했다. 그에 앞서 지난 4월 온라인 기술 매체 ‘디 인포메이션’은 화웨이가 이끄는 일련의 중국 기업들이 2026년까지 중국산 HBM 칩의 생산을 늘릴 것이라고 전했다. 또 지난 3월 우한신신은 한 달에 12인치 웨이퍼 3000장을 생산하는 HBM 첨단 제조시설 건설을 위한 입찰을 발표했다.

SCMP는 “중국은 HBM 칩 개발 초기 단계에 머물러 있지만, 미국의 반도체·AI 분야 기술 제한 속에서 분석가와 업계 관계자들이 그 개발 과정을 면밀히 주시할 것”이라고 짚었다. 그러면서 “화웨이의 최신 HBM 칩 개발 계획은 한국의 SK 하이닉스와 삼성전자가 글로벌 시장에서 각각 약 50%의 시장 점유율을 장악한 상황에서 여전히 갈 길이 멀다”고 지적했다.

전병수 기자(outstanding@chosunbiz.com)

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