화웨이, 美 규제 뚫고 고대역폭 메모리 개발 박차

[AI리포터]

SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램 [사진: SK하이닉스]

[디지털투데이 AI리포터] 중국 화웨이가 차세대 메모리 반도체 기술인 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM) 개발에 사활을 걸고 있다.

1일(현지시간) 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 화웨이가 중국 파운드리 업체 우한신신와 손잡고 HBM 기술 개발에 매진하고 있다고 전했다. HBM은 고성능 서버 및 인공지능(AI) 기반 컴퓨팅 인프라에 없어서 안 될 필수 메모리 칩 구조로 지난 2013년 SK하이닉스가 최초로 개발하고 양산에 성공해 시장을 이끌고 있다.

화웨이가 주도하는 HBM 기술 개발에 우한신신과 함께 중국 집적회로(IC) 패키징 회사인 장쑤창장 전자와 통푸 마이크로 일렉트로닉스도 참여하는 것으로 알려졌다. 미국의 적극적인 첨단 반도체 수출 규제로 인해 HBM 수입이 어려워지자 이를 대체하기 위한 자체 개발 과정으로 해석된다.

중국은 아직 HBM 칩 개발의 초기 단계에 머물러 있지만, 반도체와 AI에 대한 미국의 기술 제한으로 인해 분석가와 업계 관계자들은 중국의 진행 상황을 면밀히 주시할 것으로 예상된다.

지난 5월 로이터 통신은 중국 메모리 제조업체인 창신 메모리 테크놀로지스가 통푸 마이크로일렉트로닉스와 협력하여 HBM 시제품 개발에 성공했다고 보도한 바 있다.

대만의 반도체 시장조사기관은 트렌드포스는 올해 HBM 시장을 한국의 SK하이닉스와 삼성전자가 각각 50%에 가까운 시장점유율을 차지할 것으로 예상한다고 전했다. 미국 메모리 반도체 제조업체인 마이크론 테크놀로지의 시장 점유율은 3~5% 수준에 그칠 것으로 내다봤다.

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