26조 시장 잡는다…DB하이텍, 5G향 RF 사업 본격 확대

[머니투데이 오문영 기자]

DB하이텍 부천공장/사진=머니투데이DB

DB하이텍이 130㎚(나노미터·10억 분의 1m)·110㎚ 기술을 기반으로 RF SOI(고주파 실리콘 온 인슐레이터)와 RF HRS(고 저항성 기질) 공정을 확보해 RF프론트엔드 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 12일 밝혔다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품이다. IT기기간 송신·수신을 담당하며 스마트폰, IoT(사물인터넷) 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용되고 있다. 일반적으로 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 각각의 부품이 모인 모듈 형태로 구성된다.

5G 시대로의 발전으로 고주파, 고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되는 가운데 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다. RF프론트엔드 시장은 2019년 124억달러(약 14조7535억원) 수준에서 2025년 217억달러(25조8186억원) 수준까지 가파른 성장이 전망된다.

RF프론트엔드 내 여러 부품 중에서 DB하이텍이 겨냥하는 제품은 스위치와 LNA다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 온오프 하는 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달한다. 고속통신에 가장 핵심적인 제품이다.

DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 성능을 대폭 개선했다.

130㎚ 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정의 경우 스위치의 FOM(성능지수)이 84fs, BV(항복전압)가 4.4V로 세계 최고 수준의 성능을 보유하고 있다. LNA 올해 상반기 내에 150GHz(기가헤르츠) 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비하고 있다.

110㎚ 기술 기반의 RF HRS 공정은 우수한 가격경쟁력을 갖췄다. FOM은 164fs이고 BV는 4.6V이다. 100GHz 차단주파수 성능을 가진 LNA 소자를 보유 중이다. 올 상반기까지 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 계획이다.

DB하이텍은 팹리스 고객들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있다고 전했다. 특히 고객사의 개발비 절감을 위해 분기별로 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 운영 중이라 밝혔다. MPW는 개발비 절약을 위해 웨이퍼 한장에 여러 반도체 시제품을 제작하는 것을 말한다.

오문영 기자 omy0722@mt.co.kr

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