삼육대 양민규 교수팀, 차세대 반도체 'SOM 소자' 개발

[서울=뉴시스] 삼육대 양민규 인공지능융합학부 교수(교신저자), 서현규 연구원(제1저자). (사진=삼육대 제공) 2026.01.21. photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]박시은 인턴 기자 = 삼육대학교는 인공지능융합학부 양민규 교수 연구팀이 차세대 고성능 컴퓨팅 환경의 핵심 기술로 주목받는 컴퓨터 익스프레스 링크(CXL·Compute Express Link) 메모리에 적합한 셀렉터-온리 메모리(SOM·Selector-Only Memory) 소자를 개발했다고 21일 밝혔다.

연구팀은 칼코게나이드(GSST) 박막 기반 SOM 소자를 구현해, 기존 메모리 구조에서 필수적으로 요구되던 별도의 셀렉터 소자를 제거하면서도 안정적인 메모리 동작이 가능함을 입증했다.

SOM은 전류 특성에서는 휘발성을 유지하면서도 임계전압(Vth)을 비휘발적으로 조절할 수 있는 구조로, 고집적·저전력 특성이 요구되는 차세대 메모리 환경에 적합한 기술로 평가된다.

특히 이번 연구에서는 SOM의 동작 메커니즘을 정밀 분석해, 임계전압 변화가 기존에 알려진 이온 이동이 아닌 전자 트랩 깊이 변화에 의해 발생함을 규명했다. 이는 향후 소재 및 공정 최적화, 소자 신뢰성 향상 연구를 위한 중요한 이론적 기반을 제공한다.

글로벌 대형 반도체 기업들을 중심으로 차세대 CXL 메모리 기술에 대한 연구·개발이 활발히 진행되고 있는 가운데, 이번 연구는 CXL 이후 세대를 대비한 유력한 차세대 메모리 소자 기술 후보로 평가된다.

양민규 교수는 "차세대 메모리 기술은 단순한 저장 소자를 넘어 컴퓨팅 구조 전반의 패러다임 변화를 요구한다"며 "이번 연구는 고집적·저전력·확장성이 동시에 요구되는 차세대 메모리 환경에서 적용 가능한 소자 기술의 방향성을 제시한 것"이라고 밝혔다.

한편 이번 연구는 과학기술정보통신부와 한국연구재단(NRF)의 지원을 받아 수행됐다. 제1저자로는 삼육대를 졸업하고 서울대 재료공학과 박사과정 중인 서현규 연구원이 참여했으며, 연구 성과는 재료·전자소자 저널 '머티리얼즈 사이언스＆엔지니어링 알(Materials Science＆Engineering R)'에 게재됐다.

☞공감언론 뉴시스 xieunpark@newsis.com

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