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삼성·SK하이닉스, HBM4 내년 2월 양산 '스나이핑'

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[양정민 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM4를 내년 2월 양산한다.

26일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아 퀄테스트를 통과하는 즉시HBM4를 양산하는 과정을 밟고 있다. 내년 2월 평택 캠퍼스에서 HBM4를 본격 양산한다.

SK하이닉스도 경기도 이천시 M16팹에서 내년 2월부터 HBM4 생산에 돌입한다. 엔비디아에 HBM4 유상 샘플을 공급 중인 SK하이닉스가 최종 품질 테스트를 사실상 통과하며 양산 체제로 전환한다.

HBM4는 단순한 성능 개선을 넘어 고객사 맞춤형(커스텀) 제품으로 전환되는 제품이다.

지난 4월 글로벌 반도체 표준화 기구(JEDEC)는 핀당 8Gbps 속도 지원, 2048-bit 인터페이스로 대역폭 대폭 향상, 2TB/s 이상의 스택당 대역폭 목표, 775μm 두께 표준 완화 등의 내용을 담은 HBM4의 최종 규격(JESD238)을 공식 발표했었다.

삼성전자 HBM4, HBM3E. 사진=양정민 이코노믹리뷰 기자

삼성전자 HBM4, HBM3E. 사진=양정민 이코노믹리뷰 기자


삼성전자는 HBM4에서는 HBM3E의 아쉬움을 딛고 과감한 공정을 도입해 엔비디아로부터 성능 면에서 최고 평가를 받은 것으로 알려졌다. 양산 시점도 예상보다 빠른 2월로 앞당겼다.


삼성전자는 올 하반기 HBM4 개발 완료, 엔비디아·구글 등에 샘플 공급 및 PRA(Production Readiness Approval) 단계에 진입한 뒤 평택에서 HBM4를 양산 시작한다. 본격적인 안정적 양산은 내년 2분기 즈음으로 전망이 나오고 있다.

SK하이닉스는 파운드리 1위인 대만 TSMC와 협력해 HBM4의 두뇌 역할을 하는 베이스다이에 12㎚(나노미터·10억분의 1m) 로직 공정을 도입했다. 이를 통해 SK하이닉스의 HBM4는 전작에 비해 대역폭(데이터 처리 속도)은 두 배 넓어지고 전력 효율은 40% 이상 개선됐다.

SK하이닉스 HBM4. 사진=양정민 이코노믹리뷰 기자

SK하이닉스 HBM4. 사진=양정민 이코노믹리뷰 기자


올해 4분기 이천 M16·청주 M15X에서 HBM4 양산 라인 구축 및 시생산을 거쳐 최종 품질 테스트를 사실상 통과한 SK하이닉스는 내년 2월 M16에서 HBM4를 양산 개시하고 동시에 청주 M15X 1차 클린룸 가동 시작과 HBM4 물량 확대 준비에 나선다. 업계는 SK하이닉스가 안정적으로 HBM4를 만드는 시점은 1~2분기 사이로 예상 중이다.

업계 관계자는 "개발 속도 측면에서는 양사가 비슷한 상태이고 마이크론이 조금 떨어진 상태"라고 말했다.

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