'11만전자' 삼성 기술 中에 빼돌린 일당 구속기소

삼성전자와 SK하이닉스의 첨단 반도체 기술을 중국 기업에 유출한 일당이 구속기소 됐다. 국내 첨단 반도체 공정 기술을 확보한 중국의 창신메모리반도체(CXMT)는 최근 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 수준을 거의 따라왔다는 평가를 받는 신형 D램 제품을 공개했다. 특히 창신메모리는 D램 공정 기술을 바탕으로 인공지능(AI) 칩에 들어가는 고대역폭메모리(HBM) 개발을 위한 발판을 마련하기도 했다.

23일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 국가핵심기술 유출사건을 수사한 결과 삼성전자 임원 출신인 창신메모리 개발실장 A씨 등 핵심 개발인력 5명을 구속 기소했다. 이들은 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외유출등) 혐의가 적용됐다. 이밖에 파트별 개발책임자 등 나머지 5명은 불구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

2016년 설립된 창신메모리는 당시 세계 최초로 10나노대 D램 양산에 성공한 삼성전자의 핵심 인력들을 잇따라 영입하며 기술 확보 계획을 수립한 것으로 전해진다. 이들은 삼성에서 창신메모리로 이직하는 과정에서 수백 단계의 공정정보를 베껴 적어 유출한 혐의를 받는다. 또 창신메모리는 D램 개발 과정에서 SK하이닉스의 국가 핵심 기술을 추가로 확보한 것으로 알려졌다. 창신메모리는 이 같은 기술을 중국 설비에 맞게 지속적으로 수정-검증해 2023년 중국 최초로 D램 양산에 성공했다.

수사팀 관계자는 "이번 범행을 통해 창신메모리는 세계 최고 수준의 D램 공정기술을 확보해 HBM 개발을 위한 발판을 마련했다"며 "이로 인한 삼성전자 등 손해는 최소 수십조원으로 예상된다"고 했다.

실제 창신메모리는 최근 중국의 한 반도체 박람회에서 DDR5(더블데이터레이트5)와 LPDDR5X(저전력더블데이터레이트5X) 메모리 등 차세대 D램 제품을 공개했다. 이 제품들 모두 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁 제품과 성능이 거의 유사한 것으로 알려졌다. 기술력과 상품성을 바탕으로 창신메모리는 내년께 60조 원 규모 기업공개(IPO)도 하기로 했다.

박호현 기자 greenlight@sedaily.com
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