송재혁 삼성전자 사장 “램·낸드·로직 기술 융합해야 반도체 혁신 가능”

한국반도체산업협회가 주최한 제27회 반도체대전이 22일 서울 강남구 코엑스에서 사흘 일정으로 열렸다. 송재혁 삼성전자 CTO가 '시너지를 통한 반도체 혁신'을 주제로 키노트 발표를 하고 있다. 김민수기자 mskim@etnews.com

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장이 D램·낸드플래시·로직의 경계를 허무는 반도체 기술 융합으로 혁신을 이뤄내야 한다고 강조했다.

송재혁 사장(반도체산업협회장)은 22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체 대전(SEDEX 2025)' 기조연설에서 반도체 기술 복잡성이 높아지면서 기존 공정만으로는 발전 한계를 맞고 있다고 짚었다.

이 때문에 기술 혁신을 위해 D램·낸드플래시·로직·첨단 패키징 등에서 다양한 기술 조합이 이뤄지고 있다고 설명했다.

송 사장은 “D램은 (미세화 한계 극복을 위해) 수직 채널 트랜지스터(VCT) 구조로 가야 하는데 여기에는 본딩 기술이 필요하고, 고대역폭메모리(HBM)에는 하이브리드 본딩 이외에 3차원(3D) 집적회로(IC), 미래 기술인 공동패키징광학(CPO) 등 다양한 패키징 기술이 필요하다”고 부연했다.

이어 “D램·플래시·로직 개발에 3팀이 필요한 게 아니라 1.5팀이나 2팀으로 효율적인 운영을 할 수 있는 지식의 통합이 이뤄지고 있다”며 “하이 퍼포먼스 트랜지스터 기술도 로직에 이어 D램에 적용되고 있는 상황”이라고 전했다.

향후 반도체 발전 방향에 대해서는 D램은 VCT 구조, 로직은 트랜지스터를 쌓아 성능과 파워를 높이는 게 중요하다고 설명했다.

첨단 패키징 분야에서는 서로 다른 반도체를 연결하는 '칩렛'을 핵심 기술로 손꼽으면서 “고객이 원하는 파워와 퍼포먼스를 공급하기 위해 다양한 패키징 기술 개발이 이뤄져야 하고, 지구상에서 쓸 수 있는 모든 방법을 동원하고 있다”고 밝혔다.

송 사장은 반도체 기술 융합을 위해 산업계·학계·연구기관(산학연) 협력 범위를 넓히겠다는 의지도 내비쳤다. 앞으로는 반도체 연구개발(R&D)에 더욱 다양한 요소 기술이 필요해질 것으로 예상되기 때문이다.

그는 “경계를 뛰어넘는 협업으로 혁신을 이뤄내야 고객이 원하는 양질의 반도체 생산 기술을 개발할 수 있을 것”이라며 “이를 위해 소재·설비·테스트·패키징 등 여러 분야와 함께 기술을 개발하겠다”고 말했다.

한국반도체산업협회가 주최한 제27회 반도체대전이 22일 서울 강남구 코엑스에서 사흘 일정으로 열렸다. 송재혁 삼성전자 CTO가 '시너지를 통한 반도체 혁신'을 주제로 키노트 발표를 하고 있다. 김민수기자 mskim@etnews.com

이호길 기자 eagles@etnews.com

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