中CXMT에 D램 기술 넘긴 삼성전자 前임원 등 3명 구속기소

서울 서초구 서울중앙지방검찰청의 모습. 2025.9.28/뉴스1

삼성전자가 1조6000억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 반도체 핵심기술을 활용해 중국 반도체 회사에서 D램을 개발한 전직 삼성전자 임원 등 3명이 구속돼 재판에 넘겨졌다.

1일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 중국으로 유출해 부정사용한 혐의로 중국 청신메모리반도체(CXMT) 핵심 개발인력인 전 삼성전자 임원 양모 씨, 전 삼성전자 연구원 권모 씨와 신모 씨 등 3명을 구속 기소했다고 밝혔다. 검찰에 따르면 이번 범행으로 인해 삼성전자가 입은 손해는 지난해 매출감소액 기준 5조 원에 이른다. 향후 수십조 원의 추가 피해가 예상돼 사상 최대 규모의 기술 유출사건이 될 것으로 전망된다.

검찰 조사 결과 양 씨 등은 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15억~30억 원의 급여를 4~6년간 약속받고 범죄에 가담한 것으로 파악됐다.

앞서 이 사건의 ‘주범’ 격인 삼성전자 부장 출신 김모 씨는 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술을 그대로 빼돌려 CXMT에 넘긴 혐의로 지난해 1월 구속기소됐다. 김 씨는 CXMT가 설립된 2016년 CXMT로 이직해 삼성전자의 18나노 D램 공정 정보를 빼돌려 넘기고 그 대가로 수십억대 금품을 수수한 혐의로 재판에 넘겨졌다. 김 씨는 1심에서 기술유출 사건 역대 최고형량인 징역 7년을 선고받은 데 이어 2심에서 징역 6년에 벌금 2억 원이 선고 받았다.

CXMT는 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했는데 김 씨가 빼돌린 정보를 바탕으로 양 씨 등이 실제 공정에 적용할 수 있도록 도왔던 덕분이라고 검찰은 보고 있다.

송유근 기자 big@donga.com

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