"삼성전자 HBM4 초기 개발 양호…하반기 기대감"-KB證

"내년 HBM 공급량 큰 폭 증가세 기대"

서울 서초구 삼성전자 서초사옥 전경. 뉴시스

[파이낸셜뉴스] KB증권은 "현재 삼성전자의 1c(6세대 10나노급) D램 기반 고대역폭메모리(HBM)4 초기 개발 과정 및 성능이 양호한 것으로 파악된다"고 말했다.

김동원 KB증권 연구원은 1일 "내년 1·4분기 평택 캠퍼스 신규 증설을 통해 (삼성전자의) HBM 시장 점유율 확대가 기대된다"며 이같이 설명했다.

최근 HBM 최대 고객사인 엔비디아는 HBM4 공급 업체들에게 더 높은 조건의 전력소모 감소와 속도 향상을 요구하고 있다. 김 연구원은 "(HBM4 다음 세대인) HBM4E의 경우 적층 단수 증가에 따른 집적도와 밀도 상승으로 생산 공정의 난이도 심화가 예상돼 향후 삼성전자가 1c 기반의 HBM4 생산 수율을 안정적으로 달성한다면, 내년 HBM 공급량은 큰 폭의 증가세가 기대된다"고 전했다.

이어 "최근 HBM4 내부 양산 승인(PRA) 절차를 통과한 삼성전자는 오는 4·4분기부터 HBM4 초기 생산 단계에 진입할 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

향후 삼성전자 반도체(DS) 부문 및 전체 실적 전망 또한 밝을 것으로 예상된다. 김 연구원은 "하반기 반도체 DS 영업이익은 8조8000억원으로 전년 대비 31%, 상반기 대비 491% 급증할 것으로 예상된다"며 "올 하반기 영업이익은 18조원으로 2021년 하반기(29조7000억원) 이후 4년 만에 최대치를 달성할 전망"이라고 진단했다.
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soup@fnnews.com 임수빈 기자

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