스마트폰 발열 잡았다…SK하이닉스, '고방열 모바일 D램' 개발

SK하이닉스가 업계 최초 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발해 고객사 공급을 시작했다./사진=SK하이닉스

SK하이닉스가 업계 최초 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발해 고객사에 공급을 시작했다.

SK하이닉스는 28일 "고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"며 이같이 밝혔다. High-K EMC는 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능을 높이기 위해 SK하이닉스가 실리카(Silica)와 알루미나(Alumina)를 혼합해 개발한 신소재다.

최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 위에 D램을 쌓는 'PoP'(Package on Package) 방식을 채택하고 있다. 이 방식은 한정된 공간을 효율적으로 활용해 데이터 처리 속도를 높일 수 있다는 장점이 있지만 D램 내부에 열이 누적돼 스마트폰 성능 저하로 이어질 수 있다는 문제가 있었다.

SK하이닉스는 이를 해결하기 위해 EMC의 열전도 성능 개선에 주력했다. High-K EMC를 적용한 결과 열전도율은 기존 대비 약 3.5배, 열 저항은 47% 개선됐다. 방열 성능은 스마트폰 배터리 지속 시간과 제품 수명 연장 등에 도움이 된다는 게 회사 측 설명이다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 "이번 제품은 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자가 겪는 불편을 해소했다는 점에서 의미가 있다"며 "소재 기술 혁신으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 확고히 구축하겠다"고 밝혔다.

최지은 기자 choiji@mt.co.kr

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